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产品描述：
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其chao低的光损耗可满足民用光网络应用要求，较高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备卓越的可靠性。
关键特征：
100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、chao低光损耗。
典型应用：
通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。
主要指标（典型值）：
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性能指标 |
单位 |
干涉型 |
吸收型 |
备注 |
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工作波长 |
nm |
1525～1565 |
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响应时间 |
ns |
150 |
300 |
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插入损耗 |
dB |
1.5 |
1.2 |
光纤进到光纤出的损耗 |
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衰减范围 |
dB |
18 |
25 |
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偏振相关性 |
dB |
≤0.3 |
≤0.3 |
@0dB衰减时 |
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≤4 |
≤0.5 |
@0~25d衰减时 |
||
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功耗(@18dB衰减) |
mW |
30 |
150 |
随衰减量增大而增大 |
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集成度 |
/ |
8CH |
6CH/48CH |
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注：根据综合性能指标要求，芯片可基于上述两类结构组合设计。